，少数载流子是空穴，源漏区的掺杂类型是P型，所以PMOS的工作条件是在栅上相对于源极施加负电压，而在衬底感应的是可运动的正电荷空穴和带固定正电荷的耗尽层。

　　当PMOS产品达到强反型时，在相对于源端为负的漏源电压的作用下，源端的正电荷空穴经过导通的P型沟道到达漏端，形成从源到漏的源漏电流。VGS越负(绝对值越大)，沟道的导通电阻越小，电流的数值越大。本期，合科泰给大家介绍一款P沟道MOS管IRLML6402，它在稳压器、开关电路电源、电压调节、智能血压计、智能家电等上面有着广泛的应用。

　　合科泰生产的这款产品是一款低压MOS管，它具有很好的电学特性，IRLML6402具有超低的导通电阻，该MOS管的开启和关闭迅速，它的稳定性和可靠性非常好。它采用P沟道制作，漏源电压-20V，栅源电压±12V，连续漏极电流-3.7A，漏源导通电阻0.065Ω，最小栅极阈值电压-0.4V，最大栅极阈值电压-1.2V，耗散功率1300mW。IRLML6402导电性能优异，响应速度极快，整机重量约0.008克，非常轻巧。这些性能使得IRLML6402在MOS管驱动电路、开关电路、稳压电路等上面具有良好的表现。

　　这款产品采用了SOT-23封装，SOT23封装是一种非常小型表面贴装封装，SOT23封装产品具有紧凑的尺寸、良好的散热性能，坚固耐用，工作效率很高，为工程师提供了更多灵活性。它的适应性极强，在物联网设备、电源、家电、蓝牙设备、手机、平板等领域应用广泛。SOT23封装的尺寸很小，适用于有限空间的电路设计。IRLML6402有3个引脚，这些引脚用于连接器件的电气机械连接。

　　SOT23封装采用SMT技术，它的引脚直接焊接到印刷电路板表面，而不需要通过孔穴。这种设计简化了制造过程，有助于提高生产效率。散热性能好，IRLML6402的封装设计允许器件在封装外部散热，有助于降低温度并提高器件的稳定性。总之，IRLML6402是一款稳定、可靠的低压MOS管凯时k66网站，它的作用有开关、放大、稳压调压、电路保护等。

　　合科泰的这款产品功能完善，性能强大且稳定，可以在各种MOS电路中发挥关键作用。IRLML6402在稳压器、电源、智能家电、电机控制LED照明凯时k66网站、可穿戴设备、便携式电子设备、光伏发电等领域有很多应用。如IRLML6402的快速开关特性使得它在MOS开关电路上有着重要的作用。IRLML6402的重要漏电流可以做到3.7A，导电阻是极低的，这样的性能使得它能在高效工作的同时，维持较低的热损耗，能效高，减少总体设计的系统成本。在电池管理方面，IRLML6402的使用能明显延长电池的寿命，提高电池设备的综合性能。

　　以IRLML6402在双电源切换电路上的应用为例，在光伏发电应用上，集成电路搭建了一种嵌入式系统电源，在传统光伏发电系统上加入了智能充电控制芯片、最大功率跟踪、双电源切换功能、MOS管等，最大限度地延长了蓄电池的使用寿命，极大地提高了电源供电的效率，增强了系统的稳定性。

　　如上图的双电源切换电路包括充电电路和放电电路，充电控制电路利用光耦控制场效应管的栅极电压，当图示的充电控制端口的控制电平为低时，光耦TLP521-1导通，栅极电平为低，MOS管IRLML6402导通，反之则MOS管断开，从而达到控制太阳能电池板电压输出的充电电压对电池充电的效果凯时k66网站。在放电控制电路应用上，它利用光耦控制场效应管的栅极电压，当如图示的放电端口的控制电平为低时，光耦导通，栅极电平为低，MOS管导通，反之MOS管断开，从而达到控制电池输出电压的效果。

　　作为一款经典且实用的MOS管产品，IRLML6402是工程师需要详细了解的典型产品。合科泰建议，客户在购买IRLML6402元器件之前，需要了解自己产品的规格需求，确定您所需的IRLML6402元器件的规格，以满足项目的要求。选择稳定的供应商，做好品牌评估，确定供应商的IRLML6402性能以及供应状况。作为一家专业生产MOS管产品的原厂，合科泰的IRLML6402经过了严格的质量控制和检测，确保产品的稳定性和可靠性。

　　原文标题：采用SOT-23封装MOSIRLML6402，在电源、电机控制、LED照明上应用电离层散射通信凯时k66网站角灯强反型放射自显影